Изготовление изделий в области наноэлектроники

Изготовление изделий в области наноэлектроники Изготовление изделий в области наноэлектроники

Компания выпускает изделий в области наноэлектроники.

Р0

Перечень производимой продукции: однослойные СВЧ конденсаторы и сенсоры, низкочастотные и высокочастотные гермовводы различной конфигурации, микрополосковые платы, полупроводниковые микросхемы, фильтры на поверхностно акустических волнах, датчики давления и температуры, оптические акселерометры, модуляторы Махо-Цендера.

Технология изготовления микрополосковых плат

Ключевые преимущества технологии изготовления микрополосковых плат

  • Операции магнетронного напыления резистивного, адгезионного и проводящего слоя совмещены в одном процессе, в связи с чем отсутствуют дополнительные операции обработки и напыления подложек.
  • Использование Ta в качестве адгезионного и резистивного подслоя и позволяет проводить групповую подгонку резисторов до требуемых номиналов методом термоподгонки при температурах от 250 до 350 град, что исключает дополнительную операцию лазерной подгонки резисторов.
  • Возможно напыление дополнительного резистивного подслоя под Ta с целью создания резисторов с различным Rкв.
  • Не требуется проведения операции дополнительной активации и химического золочения отверстий, так как при магнетронном напылении эффективность запыления стенок отверстий в разы выше чем при термическом распылении.
  • После проведении операции электрохимического осаждения Ni-Au по подслою Ta медные проводники полностью защищены включаю торцы, в отличие от классической технологии осаждения в окна фоторезистивной маски металлизации Cu-Ni-Au. Электрохимическое осаждение проводится без присутствия ФР, что исключает загрязнение электролитов органическими примесями.
Типичные параметры проектирования микрополосковых плат

Однослойные СВЧ конденсаторы

Диэлектрическая проницаемость Температурная стабильность емкости в диапазоне температур -60 ÷ +125 0С, % Диэлектрически е потери на частоте 1 ГГц Напряжение пробоя
20 ±5 ≤0,0002 ˃ 250 В
40 ±5 ≤0,0002 ˃ 250 В
100 ±5 ≤0,002 ˃ 250 В
170 ±5 ≤0,003 ˃ 250 В
270 ±5 ≤0,004 ˃ 250 В
1000 ±10 ≤0,01 ˃ 250 В
2000 ±15 ≤0,01 ˃ 250 В
4000 ±20 ≤0,01 ˃ 250 В
10000 ±40 ≤0,02 ˃ 250 В
13000 ±50 ≤0,02 ˃ 250 В

Низкочастотные и высокочастотные гермовводы различной конфигурации