Изделия в области наноэлектроники

Перечень производимой продукции: однослойные СВЧ конденсаторы и сенсоры, низкочастотные и высокочастотные гермовводы различной конфигурации, микрополосковые платы, полупроводниковые микросхемы, фильтры на поверхностно акустических волнах, датчики давления и температуры, оптические акселерометры, модуляторы Махо-Цендера.

Технология изготовления микрополосковых плат

Ключевые преимущества технологии изготовления микрополосковых плат

Операции магнетронного напыления резистивного, адгезионного и проводящего слоя совмещены в одном процессе, в связи с чем отсутствуют дополнительные операции обработки и напыления подложек.
Использование Ta в качестве адгезионного и резистивного подслоя и позволяет проводить групповую подгонку резисторов до требуемых номиналов методом термоподгонки при температурах от 250 до 350 град, что исключает дополнительную операцию лазерной подгонки резисторов.
Возможно напыление дополнительного резистивного подслоя под Ta с целью создания резисторов с различным Rкв.
Не требуется проведения операции дополнительной активации и химического золочения отверстий, так как при магнетронном напылении эффективность запыления стенок отверстий в разы выше чем при термическом распылении.
После проведении операции электрохимического осаждения Ni-Au по подслою Ta медные проводники полностью защищены включаю торцы, в отличие от классической технологии осаждения в окна фоторезистивной маски металлизации Cu-Ni-Au. Электрохимическое осаждение проводится без присутствия ФР, что исключает загрязнение электролитов органическими примесями.

Типичные параметры проектирования микрополосковых плат

Р0

Технология изготовления микрополосковых плат

Изделия в области наноэлектроники

Ключевые преимущества технологии изготовления микрополосковых плат

Операции магнетронного напыления резистивного, адгезионного и проводящего слоя совмещены в одном процессе, в связи с чем отсутствуют дополнительные операции обработки и напыления подложек.
Использование Ta в качестве адгезионного и резистивного подслоя и позволяет проводить групповую подгонку резисторов до требуемых номиналов методом термоподгонки при температурах от 250 до 350 град, что исключает дополнительную операцию лазерной подгонки резисторов.
Возможно напыление дополнительного резистивного подслоя под Ta с целью создания резисторов с различным Rкв.
Не требуется проведения операции дополнительной активации и химического золочения отверстий, так как при магнетронном напылении эффективность запыления стенок отверстий в разы выше чем при термическом распылении.
После проведении операции электрохимического осаждения Ni-Au по подслою Ta медные проводники полностью защищены включаю торцы, в отличие от классической технологии осаждения в окна фоторезистивной маски металлизации Cu-Ni-Au. Электрохимическое осаждение проводится без присутствия ФР, что исключает загрязнение электролитов органическими примесями.